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Nisshinbo NJG1816K75-TE1超低电流SPDT开关的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-03-24

摘要: 2位控制SPDT开关GaAs单片微波集成电路适用于LPWA应用。


    Nisshinbo NJG1816K75-TE1超低电流SPDT开关是一个2位控制SPDT开关GaAs单片微波集成电路(MMIC)适合LPWA应用。该开关在1.6V的低控制电压下工作,由于超低电流消耗,是具有电池运行的物联网设备的理想选择。NJG1816K75-TE1超低电流SPDT开关工作在-55°C至150°C的温度范围内,存储在-40°C至105°C的温度范围内。该开关符合RoHS标准,不含卤素。典型应用包括天线切换、路径切换和通用切换应用。


    特性

    • 符合RoHS,无卤素,MSL1

    • dfn6 - 75包


    规范

    • 30dBm射频输入功率

    • 4.5 v控制电压

    • 380兆瓦的功率损耗

    • -40°C至105°C的存储温度范围

    • -55°C至150°C的工作温度范围

    • 0.1μA典型低电流消耗

    • 0.45dB典型@f=920MHz低插入损耗

    • 30dB典型@f=920MHz高隔离

    • 最低控制电压1.6V

    • 30dBm典型@f=920MHz P-0.1dB

    • 1mm × 1mm × 1mm的包装尺寸


    应用程序

    • 天线切换、路径切换和通用切换应用

    • LPWA (SIGFOX、LoRaWAN和Wi-SUN)应用


    框图



    应用电路图


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