摘要: 高性能、超低外形的硅电容器,用于电源和信号的完整性。
Empower Semiconductor E-CAP 0402 220nF 4V硅电容是一种高性能、超低配置的硅电容,用于高di/dt和高速通信soc中的功率完整性和信号完整性。电容器的超低ESL(等效串联电感)和ESR(等效串联电阻)允许异常行为在高频。这一结果在电源解耦和旁路高速数字soc的完美匹配。
EC1001P电容器具有极低的厚度(150µm,不包括衬垫),可以在严格的高度限制(处理器包、BGA落地、嵌入式包等)下进行高级组装。
Empower Semiconductor E-CAP 0402 220nF 4V硅电容支持高稳定性的过电压和温度。因此,ECAP电容器不受与MLCCs的降额。
220年nf电容
超低交流/直流偏置变化
1.00mm x 0.50mm(0402)的足迹
超低剖面150 μ m
ESL和ESR都很低
超温稳定性高
低漏电流
无铅铜表面处理兼容自动回流焊或手动焊接技术
-55°C ~ +125°C温度范围
配电网中的解耦问题
电压调节器(VR)旁路电容
电源噪声抑制
高速集成电路的电源完整性
高速接口的信号完整性
高频噪声抑制
要求不高的应用程序
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