Micron 176层NAND通用闪存(UFS) 3.1是一款基于3D替换门技术的快速闪存解决方案，针对高端和旗舰手机进行了优化。175层UFS 3.1解锁5G的潜力，与之前的96层相比，顺序写和随机读性能快75%，可以在9.6秒内下载2小时的4K电影。176层的UFS 3.1具有紧凑的设计，适合移动设备所需的高容量、小尺寸因素。

Micron 176层NAND UFS 3.1提供128GB、256GB、512GB、1TB和2TB容量。

特性

• 提升的性能
  与之前的96层产品相比，Micron 176层UFS 3.1解决方案带来了75%的顺序写性能和70%的随机读性能，极大地提高了应用程序性能
  
  

• 提高耐力
  与之前的96层产品相比，美光176层移动解决方案的写入总字节数提高了两倍，这意味着在不降低设备可靠性的情况下，可以存储两倍的总数据，即使是最强大的用户，智能手机的寿命也可以延长

• 更快的下载速度
  最高可达1500MB/s的连续写入性能，可以在0.7秒内下载10分钟(2160像素)的YouTube视频流，或9.6秒内下载2小时的4K电影
  
  

• 流畅的移动体验
  与之前的96层产品相比，美光176层UFS 3.1解决方案及其优质的服务缩短了约10%的延迟，更快的响应时间和更可靠的移动体验
  
  

应用程序

• 非常适合移动、汽车、客户端、消费者和数据中心应用

• 在数据湖、人工智能和大数据分析等工作负载中采用Flash

资源

•  新闻稿

• 3D NAND替换门技术白皮书