摘要: N-Ch 60V AEC-Q101合格壕沟场效应晶体管功率MOSFET。
Vishay / Siliconix SQS660CENW汽车N-Ch 60V MOSFET是AEC-Q101合格的沟槽型MOSFET 功率MOSFET。SQS660CENW被指定为18A I(D)和60V V(DS)。PowerPAK 1212-8W封装提供单一配置的设备,工作结和存储温度范围为-55°C至+175°C。
TrenchFET 功率MOSFET
AEC-Q101合格
100% R(g)和UIS测试
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