亚德诺半导体ADRF5515接收机前端是一个双通道，集成射频，前端，多芯片模块设计用于时分双工(TDD)应用。ADRF5515前端采用双通道配置，具有级联、双级LNA和大功率硅SPDT开关。

ADI ADRF5515接收机前端采用高增益模式和下电模式。在高增益模式下，级联的两级LNA和开关提供低噪声值1.0dB, 3.6GHz时的高增益为33dB，输出三阶截距点(OIP3)为32dBm(典型)。在低增益模式下，两级LNA的一级处于旁路，在较低的36mA电流下提供16dB的增益。下电模式下LNAs处于关闭状态，设备吸取12mA。

在发射操作中，当RF输入端连接到一个终端引脚(TERM-CHA或TERM-CHB)时，开关提供了0.45dB的低插入损耗。在整个生命周期运行中，它可以处理43dBm的长期演进(LTE)平均功率(9dB峰值平均比(PAR))。ADRF5515是引脚兼容ADRF5545A, 10W版本，从2.4GHz到4.2GHz。

ADRF5515在内部匹配50欧姆的射频端口上不需要任何匹配组件。ANT和TERM端口也是内部交流耦合的。因此，只有接收端口需要外接直流隔离电容。

ADRF5515的工作频率从3.3GHz到4.0GHz，封装在符合RoHS，紧凑，6mm × 6mm, 40引脚LFCSP封装。

特性

• 集成双通道射频前端

• 2级LNA和大功率硅SPDT开关

• 片上偏置与匹配

• 单供应操作

• 获得

• 33dB典型，3.6GHz高增益模式

• 16dB典型的3.6GHz低增益模式

• 低噪声图

• 1.0dB典型的3.6GHz高增益模式

• 1.0dB典型的3.6GHz低增益模式

• 高的隔离

• 45dB典型RXOUT-CHA和RXOUT-CHB

• 60dB典型的TERM-CHA和TERM-CHB

• 0.45dB, 3.6GHz，插入损耗低

• 高功率处理在T(CASE) = 105°C

• 43dBm LTE平均功率(9dB PAR)

• 完整的一生

• 32dBm典型高OIP3(高增益模式)

• LNA的关机模式和低增益模式

• 低电源电流

• 85ma典型在5V高增益模式

• 36mA典型5V低增益模式

• 5V下电模式下典型的12mA

• 积极的逻辑控制

• 6mm × 6mm, 40引脚LFCSP封装

• 引脚兼容ADRF5545A, 10W版本

应用程序

• 无线基础设施

• TDD海量多输入多输出有源天线系统

• TDD-based通信系统

界面示意图