Zentel DDR4 SDRAM具有高达2666Mbps的数据速率，并封装在78或96球FBGA中。SDRAM有16个或8个内部银行，每组4个银行(x4和x8)或每组2个银行(x16)。该器件具有差分时钟输入操作(CK_t和CK_c)，双向差分数据频闪(DQS_t和DQS_c)和支持终止数据频闪(仅支持x8) (TDQS_t和TDQS_c)。SDRAM有一个最大的下电模式，最低的功耗，没有内部刷新活动，是JEDEC JESD-79-4兼容的。

特性

• 电力供应
  

• V(dd) = V(ddq) = 1.2v±5%

• V(pp) = 2.5v - 5% + 10%

• 数据速率
  

• 2666 mbps (ddr4 - 2666)

• 2400 mbps (ddr4 - 2400)

• 2133 mbps (ddr4 - 2133)

• 1866 mbps (ddr4 - 1866)

• 1600 mbps (ddr4 - 1600)

• 包
  

• 78球FBGA (A3F4GH20ABF, A3F4GH30ABF)

• 96 -球FBGA (A3F4GH40ABF)

• 无铅

• 16或8家内部银行

• 4组，每组4个银行(x4和x8)

• 2组，每组4个银行(x16)

• 差分时钟输入操作(CK_t和CK_c)

• 双向差分数据频闪器(DQS_t和DQS_c)

• 支持终止数据频闪器(仅支持x8) (TDQS_t和TDQS_c)

• 支持异步重置(RESET_n)

• 通过比较外部参考电阻对输出驱动器的ZQ校准(RZQ 240欧姆1%)

• 标称、停车和动态模端终止(ODT)

• DLL将DQ和DQS转换与CK转换对齐

• 在每个正CK边输入命令

• CAS Latency (CL):支持9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23

• 支持添加延迟时间(AL) 0、CL-1、CL-2

• 爆炸长度(BL): 8和4在飞行支持

• CWL (CAS Write Latency):支持9、10、11、12、14、16、18

• 工作箱温度范围

• TC = 0℃~ +95℃

• 刷新周期

• 平均刷新时间

• 0°C≤TC≤+85°C时7.8µs

• 3.9µs +85°C <TC≤+ 95°C

• 支持细粒度刷新

• 可调内部生成VREFDQ

• 伪Open Drain (POD)接口，用于数据输入/输出

• MRS选择的驱动强度

• 8位预取高速数据传输

• 支持TCR (Temperature Controlled Refresh)模式

• 支持LPASR (Low Power Auto Self Refresh)模式

• 支持自刷新中止

• 支持可编程序言

• 支持写调平

• 支持命令/地址延迟(CAL)

• 多用途寄存器读写能力

• CA (Command Address Parity)校验命令地址信号错误检测并通知控制器

• 写入循环冗余码(CRC)用于DQ错误检测，并在高速运行时告知控制器

• DBI (Data Bus Inversion)，用于提高存储接口的功耗和信号完整性

• DM (Data mask)，用于写数据

• 每个DRAM寻址能力(PDA)为每个DRAM可以设置不同的模式寄存器值单独，并有一个单独的调整

• 支持齿轮下降模式(1/2和1/4速率)

• 支持PPR和sPPR

• 连接性测试(仅限x16)

• 在没有内部刷新活动的情况下，实现最低功耗的最大下电模式

• 电平jesd - 79 - 4兼容

框图