IXYS IXBx14N300HV反向导电BiMOSFET igbt结合了mosfet和igbt的强度。由于饱和电压和本征二极管正向压降的正电压温度系数，这些高压器件是理想的并联工作。IXBx14N300HV BiMOSFET igbt的“自由”本固有体二极管作为一个保护二极管，在器件关断期间为感性负载电流提供一个替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损害。

使用IXBx14N300HV BiMOSFET igbt，电源设计人员可以消除多个串并联低电压、低电流额定器件，从而减少所需的功率元件数量，并简化相关的栅驱动电路。这种特性使得系统设计更加简单，成本更低，可靠性更高。

IXYS IXBx14N300HV BiMOSFET igbt可在TO-263HV (IXBA14N300HV)和TO-268HV (IXBT14N300HV)包。这些器件具有-55°C到+150°C的结温度范围。

特性

• “自由”本征体二极管

• 省去了多台串并联低电压、低电流的额定设备，节省了空间

• 高功率密度

• 高频操作

• 低传导损失

• MOS门打开驱动器的简单性

• 4000 v电气隔离

• 低闸门驱动要求

应用程序

• 开关模式和谐振模式电源

• 不间断电源(UPS)

• 激光发生器

• 电容器放电电路

• AC开关

规范

• 3000V集电极-发射极电压(V(CES))

• 3000V集电极栅电压(V(CGR))

• ±20V栅极-发射极电压(V(GES))

• ±38A集电极电流+25°C (I(C25))

• ±100nA栅漏电流(I(GES))

• ±14A集电极电流+110°C (I(C110))

• 2.7V集极饱和电压(V(CE(sat))

• 10μs耐短路时间(t(sc))

• 200W集电极功耗(P(C))

• -55°C至+150°C的结温范围

引脚图,示意图

- 263高压方案规格

- 268高压方案规格