东芝TLP570x GaAℓ作为光耦合器集成铝砷化镓红外发光二极管(LED)光耦合到集成的高增益，高速光电探测器在一个紧凑的6针SO6L封装。TLP570x系列在物理上比8针DIP封装的光耦合器更小更薄，符合增强绝缘的国际安全标准。东芝TLP570x GaAlAs光耦合器为需要安全标准认证的应用提供更小的占地面积解决方案。内部噪声屏蔽可保证20kV/μs的共模瞬态抗扰度。

东芝TLP570x  GaAlAs 光耦合器可提供标准SO6L和宽引线SO6L (LF4)封装变体。这些器件非常适合用作中小型IGBT或功率MOSFET栅极驱动器。

特性

• 缓冲逻辑类型(图腾柱输出)

• 2.5A至5.0A峰值电流输出范围

• 2.0A至3.0A电源电流范围

• 200ns到500ns传播延迟范围

• 5.0最大阈值输入电流

• ±20kV/µs至±50kV/µs共模瞬态免疫

• 工作温度范围

• -40°C to +110°C (TLP5701, TLP5702)

• -40°C至+125°C (TLP5702H, TLP5705H)

• 5000年vrms隔离电压

• 6针SO6L封装标准和宽铅(LF4)选项

• 安全标准

• ul批准:UL1577，文件编号E67349

• cull -approved: CSA组件验收服务编号5a文件编号E67349

• vde批准:EN60747-5-5, EN60065, EN60950-1, EN 62368-1(选项D4)

• CQC-approved: GB4943.1 GB8898

应用程序

• 光伏(PV)电力调节系统

• 工业逆变器

• 电磁炉和家用电器

• 空调逆变器

• MOSFET栅极驱动程序

• IGBT门司机

数据表

• TLP5701数据表

• TLP5702H数据表

• TLP5702数据表

• TLP5705H数据表

引脚分配,内部电路

计划大纲