SemiQ 650V, 6A SiC肖特基二极管具有零开关损耗，大大提高效率和减少散热。该二极管具有功率因数校正，零反向恢复电流，输出整流，快速和温度无关的开关，以及电动汽车充电站。碳化硅肖特基二极管提供了近零开关损耗，需要更小的散热器。SiC肖特基二极管工作和存储在-55°C至175°C的温度范围。肖特基二极管是符合RoHS和REACH的。典型的应用包括太阳能逆变器、电源、电机驱动器和充电站。

特性

• 带有浪涌电流的单极整流器

• 零反向恢复电流

• 快速和不依赖温度的开关

• 雪崩测试到67mJ

• 更高的效率

• 开关电源和UPS

• 电动汽车充电站

• 减少散热器需求

• 容易并行

• 开关损耗接近于零

• 功率因数校正

• 输出整流

• 符合RoHS和REACH标准

规范

• -55°C至175°C的工作和存储温度范围

• 6A正向电流范围

• 焊接温度范围260°C

• 71 w功率损耗

• 1 n - m扭矩

• 200 v / ns二极管强度

• 650V重复峰值反向电压

• 15数控电容充电

应用程序

• 太阳能逆变器

• 电力供应

• 马达驱动器

• 充电站