富士通半导体公司(Fujitsu Semiconductor)的FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是一种非易失性存储器，具有写入速度快、读写持久性高、功耗低的特点。这些特性使FRAM成为需要连续数据记录、实时记录三维位置信息和数据保护免受突然断电的应用的理想选择。

富士通半导体的FRAM有串行(SPI和I(2)C接口)和并行(并行接口)两种类型，以及多种紧凑、高密度封装类型。内存大小可选从4Kbit到8Mbit。

特性

• 非易失性
  

• 存储的数据在断电时不会丢失

• 数据保存不需要电池

• 低功耗
  

• 写操作不需要增压电路

• 写功耗比EEPROM低92%

• 没有数据保留当前需要保留数据

• 高读写周期耐力
  

• 保证10万亿(10(13))读/写周期

• EEPROM的续航能力1000万倍

• 写速度快
  

• 可以覆盖数据而不擦除操作

应用程序

• 物联网

• 汽车

• 工业设施和基础设施

• 智能电表

• 医疗

• 消费者

• 企业

• 网络

应用实例

资源

• 富士通半导体FRAM/ReRAM简介

• 富士通半导体存储器解决方案概要

包选项

内存选项