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摘要： 允许用户评估1200V CoolSiC MOSFET在D2Pak无芯隔离门驱动器。
英飞凌Infineon Technologies REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板允许用户评估D2Pak中的1200V CoolSiC MOSFET无核隔离门驱动器。REF_SiC_D2Pak_MC板利用1EDC20I12MH与Miller钳功能。REF_SiC_D2Pak_BP板采用1EDI20H12AH双极电源和分离的sink/source输出。
Infineon REF_SiC_D2Pak_MC和REF_SiC_D2Pak_BP参考板被设计为子板，以适合to -247的1200V CoolSiC MOSFET 3-/4引脚评估平台。用户可通过在评价平台上安装参考子板，对CoolSiC MOSFET的性能和无核隔离栅驱动器进行双脉冲测试。
两种子板都采用了绝缘金属基板(IMS)，提供了优良的导热性能
由于IMS板类型不同，所有组件均为SMD (surface mounted devices)
漏电至少4mm，确保在800VDC母线电压下安全运行
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