意法半导体RFxL射频功率LDMOS晶体管提供高性能，适用于不同频段的多种应用。RFxL射频功率晶体管可在B4E, B2和LBB封装。

RF5L08350CB4是一款400W 50V高性能、内部匹配的LDMOS FET，设计用于0.4至1GHz频段的多种应用。

RF3L05250CB4是一款250W 28/32V LDMOS FET，设计用于宽带通信和频率从HF到1GHz的ISM应用。RF3L05250CB4引脚连接用于AB/B和C类所有典型调制格式。

RF2L16180CB4是180W, 28V内部匹配的LDMOS晶体管，设计用于多载波WCDMA/PCS/DCS/LTE基站和ISM应用，频率从1300到1600MHz。四个引线可配置为单端，180度推挽或90度混合，或Doherty与适当的外部匹配网络。

RF2L36075CF2是一款75W内部匹配的LDMOS晶体管，设计用于多载波WCDMA/PCS/DCS/LTE基站和频率范围为3.1至3.6GHz的s波段雷达应用。RF2L36075CF2可用于AB类、B类或C类所有典型蜂窝基站调制格式。

特性

• 高效率和线性增益操作

• 集成的ESD保护

• 内部输入匹配，方便使用

• 较大的正负栅源电压范围，用于改进C类操作

• 符合欧洲指令2002/95/EC

应用程序

• 电信

• s波段雷达

• 多载波基站

• 工业科学和医疗

• 2-30MHz高频或短波通信

• 30 - 88 mhz地面通信

• 118 - 140 mhz的航空电子设备

• 136-174MHz商用地面通信

• 30-512MHz干扰机，地面/空中通信

• 高频至1000mhz ISM -仪器仪表

• 宽带实验室放大器0.4至1GHz

• 数字超高频电视470-860MHz

• 650 mhz的粒子加速器

• 915MHz射频能量应用

数据表

• RF2L16180CB4数据表

• RF2L36075CF2数据表

• RF3L05250CB4数据表

• RF5L08350CB4数据表

 连接