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Mini-Circuits TAV2-501+ 50欧姆 SMD低噪声E-PHEMPT射频放大器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-06-15

摘要: 超低噪音,高IP3晶体管器件,工作在一个单一的正电源电压。


    Mini-Circuits TAV2-501+ 50欧姆 SMD低噪声E-PHEMPT RF放大器是一种超低噪声,高IP3晶体管器件,使用EE-PHEMT技术制造,使其能够在一个正电源电压下工作。测量2mm x 2mm, 8引脚MCLP封装组件提供低电感,可重复过渡,和良好的热接触到PCB。在0.4GHz到3.9GHz的频率范围内增强的线性度使TAV2-501+成为线性传输系统中复杂波形的驱动放大器的理想选择。这个单一的设备覆盖许多无线通信频带,包括蜂窝、ISM、GSM、WCDMA、WiMax、WLAN等。


    特性

    • 低噪声,0.9GHz, 4.5V, 0.6dB

    • 高输出,+42.9dBm典型在2GHz, 4.5V

    • 2mm x 2mm, 8引脚MCLP封装

    • 足迹兼容ATF-501P8

    • 单正电源电压

    • 将高增益(16.4dB)与极低噪声(0.7dB)相结合

    • 需要外部偏置和匹配

    • 湿度敏感等级(MSL

    • 通过无铅认证


    应用程序

    • 细胞

    • 供应管理协会(ISM)

    • GSM

    • WCDMA

    • WiMax

    • 无线局域网


    规范

    • 50欧姆阻抗

    • 0.4GHz ~ 3.9GHz频段

    • 最大电压

      • 7 v漏源极

      • -5V到+0.8V的栅极源极/漏极范围

    • 最大电流

      • 500毫安排水

      • 60µ门

    • 最大总耗散功率2.4W

    • 最大射频输入功率28dBm

    • 最大热阻23°C/W

    • 温度

      • 150°C最大的通道

      • -40°C至+85°C的工作范围

      • -65°C至+150°C的存储范围

    • 45%典型的增电效率

    • 典型的栅极漏电流

    • 0.38v典型阈值电压


    简化的示意图,垫的描述


    框图


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