摘要: 宽带GaAs MMIC pHEMT LNA单正极电源和0.01GHz至26.5GHz范围。
亚德诺半导体ADL9005宽带低噪声放大器(LNA)是一种砷化镓(GaAs)、单片微波集成电路(MMIC)和伪晶高电子迁移晶体管(pHEMT)射频放大器。该LNA工作在0.01 ~ 26.5GHz频率范围内,在0.01 ~ 14GHz范围内提供17.5dB的典型增益,在14GHz ~ 20GHz范围内具有正增益斜率。ADL9005 LNA还提供了13.5dBm的典型输出功率在1dB压缩(OP1dB)从0.01GHz到20GHz和2.5dB的典型噪声从0.01GHz到14GHz。此外,一个典型的输出三阶截距(OIP3)为26dBm,从0.01GHz到14GHz范围只需要80mA,从一个5V电源电压。
ADL9005宽带低噪声放大器的输入和输出(I/ o),内部匹配50欧姆。这使得它非常适合基于表面安装技术(SMT)的高容量微波无线电应用、测试仪器、军事和通信。ADL9005放大器封装在符合rohs标准的LFCSP封装4mm×4mm尺寸。
砷化镓与单片微波集成电路
伪纯高电子迁移晶体管(pHEMT)
低噪声图:
2.5dB, 0.01GHz至14GHz
高收益:
17.5dB, 0.01GHz至14GHz
单正供应
OP1dB:
13.5dBm, 0.01GHz到20GHz
高OIP3:
26dBm, 0.01GHz到14GHz
符合rohs标准的24导LFCSP (4mm × 4mm)封装
测试仪器
军事
通信
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