村田BBEC硅电容提供超宽带性能高达40GHz的0201M封装，0.60mm x 0.30mm (L x W)的足迹。该电容器是无共振的，允许超群延迟变化。它提供了高可靠性和高稳定性电容值的温度，电压和老化。其他特点包括超低插入损耗以及旁路接地模式下的低ESL和低ESR。Murata BBEC硅电容器的厚度为100µm，兼容标准的线键合组件(球和楔)和嵌入。

特性

• 超宽带性能高达40GHz

• 无共振，允许超群延迟变化

• 传输模式阻抗匹配，超低插入损耗

• 低ESL和低ESR旁路接地模式

• 电容值在温度、电压、老化下的稳定性高

• 高可靠性

• 兼容标准的线焊组件(球和楔)和嵌入

规范

• 工作温度范围-55°C至+150°C

• 0201大小的代码

• 0.60mm × 0.30mm(长×宽)占地面积

• 40 ghz频率

• 11 v (DC)承受的电压

• 10 nf电容

• 100µm厚度