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ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快速恢复二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-07-15

摘要: 具有低开关损耗,超低正向电压,大电流过载能力。


    ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快恢复二极管具有低开关损耗,超低正向电压和高电流过载能力。这种超快速恢复二极管包括硅外延平面型结构。RFNL10BM6SFHTL恢复二极管工作在600V重复峰值反向电压,600V反向电压,10A平均整流正向电流。这种超快速恢复二极管功能在100A峰值前浪涌电流,150°C结温,并存储在-55°C至150°C的温度范围。RFNL10BM6SFHTL二极管是理想的用于PFC断续电流模式的一般整流。


    特性

    • 低开关损耗

    • 硅外延平面型结构

    • 超低正向电压

    • 大电流过载容量


    规范

    • 600V重复峰值反向电压

    • 600 v反向电压

    • 10A平均整流正向电流

    • 100A峰值正向浪涌电流

    • 150°C结温

    • -55°C ~ 150°C的存储温度范围


    机械制图


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