摘要: 具有低开关损耗,超低正向电压,大电流过载能力。
ROHM Semiconductor RFNL10BM6SFHTL超快恢复二极管具有低开关损耗,超低正向电压和高电流过载能力。这种超快速恢复二极管包括硅外延平面型结构。RFNL10BM6SFHTL恢复二极管工作在600V重复峰值反向电压,600V反向电压,10A平均整流正向电流。这种超快速恢复二极管功能在100A峰值前浪涌电流,150°C结温,并存储在-55°C至150°C的温度范围。RFNL10BM6SFHTL二极管是理想的用于PFC断续电流模式的一般整流。
低开关损耗
硅外延平面型结构
超低正向电压
大电流过载容量
600V重复峰值反向电压
600 v反向电压
10A平均整流正向电流
100A峰值正向浪涌电流
150°C结温
-55°C ~ 150°C的存储温度范围
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