ROHM Semiconductor RX3G07CGNC16功率MOSFET具有无铅电镀、低导通电阻和TO220AB高功率小模具封装。这个功率MOSFET是100% UIS测试和符合RoHS。RX3G07CGNC16 MOSFET工作在-55°C至150°C的温度范围，40V漏源极电压，和±70A的连续漏极电流。该MOSFET提供±140A的脉冲漏极电流和78W的功耗。这种MOSFET是理想的开关使用。

特性

• 低导通电阻

• TO220AB大功率小模具封装

• Pb-free镀

• 通过无铅认证

• 100%的用户界面测试

规范

• -55°C至150°C的工作温度范围

• 40 v漏源极电压

• ±70A连续漏极电流

• ±140A脉冲漏极电流

• 78 w功率损耗。

• 150°C结温

内部电路