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摘要： 具有高电流过载能力和低开关损耗。
ROHM Semiconductor RFN10BGE3STL超快速恢复二极管具有硅外延平面结构，具有高电流过载容量和低开关损耗。这种超快速恢复二极管存储在-55°C至150°C的温度范围，并提供350V重复峰值反向电压。RFN10BGE3STL二极管工作在10A的平均整流正向电流，1.5V的最大正向电压，10μA的最大反向电流，150°C的结温。这种二极管非常适合用于一般整流。
硅外延平面结构类型
大电流过载容量
低开关损耗
-55°C ~ 150°C的存储温度范围
350V重复峰值反向电压
10A平均整流正向电流
最大正向电压1.5V
最大反向电流为10μA
150°C结温
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