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ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL超快速恢复二极管的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-07-15

摘要: 具有超快恢复,超低开关损耗,大电流过载能力。


    ROHM Semiconductor  RFVxBGE6STL超快恢复二极管具有超快恢复、超低开关损耗和高电流过载能力。这些恢复二极管工作在1.6V到2.8V的正向电压范围和存储在-55°C到150°C的温度范围。RFVxBGE6STL恢复二极管提供600V重复峰值反向电压、600V反向电压和150°C结温。这些超快速恢复二极管是理想的使用在PFC的一般整流连续电流模式。


    特性

    • 超快恢复/硬恢复类型

    • 超低开关损耗

    • 大电流过载容量

    • 硅外延平面型结构


    规范

    • RFV5BGE6S:

      • 5A平均整流正向电流

      • 60A峰值正向浪涌电流

    • RFV8BGE6S:

      • 8A平均整流正向电流

      • 100A峰值正向浪涌电流

    • 正向电压范围1.6V至2.8V

    • -55°C ~ 150°C的存储温度范围

    • 600V重复峰值反向电压

    • 600 v反向电压

    • 150°C结温


    机械制图


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