摘要: 具有超快恢复,超低开关损耗,大电流过载能力。
ROHM Semiconductor RFVxBGE6STL超快恢复二极管具有超快恢复、超低开关损耗和高电流过载能力。这些恢复二极管工作在1.6V到2.8V的正向电压范围和存储在-55°C到150°C的温度范围。RFVxBGE6STL恢复二极管提供600V重复峰值反向电压、600V反向电压和150°C结温。这些超快速恢复二极管是理想的使用在PFC的一般整流连续电流模式。
超快恢复/硬恢复类型
超低开关损耗
大电流过载容量
硅外延平面型结构
RFV5BGE6S:
5A平均整流正向电流
60A峰值正向浪涌电流
RFV8BGE6S:
8A平均整流正向电流
100A峰值正向浪涌电流
正向电压范围1.6V至2.8V
-55°C ~ 150°C的存储温度范围
600V重复峰值反向电压
600 v反向电压
150°C结温
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