摘要: 提供三个半桥栅驱动器,每个驱动器驱动高侧和低侧n沟道功率mosfet。
德州仪器DRV8300三相栅驱动器提供三个半桥栅驱动器,每一个都能驱动高侧和低侧n通道功率mosfet。DRV8300D使用集成的引导二极管和外部电容产生正确的栅极驱动电压的高侧mosfet。该DRV8300N产生正确的栅驱动电压使用外部引导二极管和外部电容的高侧mosfet。GVDD用于为低侧mosfet产生栅极驱动电压。德州仪器的DRV8300栅极驱动架构支持峰值高达750mA的源和1.5A的sink电流。
相位引脚SHx可以容忍显著的负电压瞬变,而高侧栅驱动器电源BSTx和GHx可以支持更高的正电压瞬变(115V) abs最大电压。这提高了系统的鲁棒性。较小的传播延迟和延迟匹配规范使死区时间需求最小化,从而进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定,在低侧和高侧都提供了欠压保护。
三半桥门驱动器
驱动3个高侧和3个低侧n沟道mosfet (NMOS)
集成引导二极管(DRV8300D器件)
支持INLx逆变输入和非逆变输入
引导门驱动架构
750毫安电流源
反向电流1.5
最多支持15秒电池供电应用
SHx引脚上的低漏电流(<55µ)
绝对最大BSTx电压高达115V
支持负瞬态高达-22V的SHx引脚
内置防交叉传导
可调死时间通过DT引脚的QFN包变种
固定死时间插入的TSSOP包变种200nS
支持3.3V和5V逻辑输入,20V Abs Max
4nS典型的传播延迟匹配
紧凑的QFN和TSSOP包
高效的系统设计与电源模块
综合保护功能
欠压闭锁
GVDD欠压(GVDDUV)
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