摘要: 用于高达990V直流工作电压的SiC mosfet和igbt的隔离单通道栅极驱动器。
德州仪器UCC21759-Q1单通道隔离门驱动器是一款电偶隔离单通道门驱动器,设计用于SiC mosfet和igbt高达990V直流工作电压。该设备具有先进的保护功能,一流的动态性能和鲁棒性。UCC21759-Q1具有高达±10A的峰值源电流和汇电流。输入侧与输出侧采用SiO(2)电容隔离技术,支持高达700V(RMS)的工作电压,隔离屏障寿命超过40年,6kV(PK)的浪涌抗扰度,提供较低的部分对部分的倾斜和>150V/ns共模抗噪声(CMTI)。
德州仪器UCC21759-Q1包括最先进的保护功能,如快速短路检测、故障报告和有源米勒钳。它还包括为SiC和IGBT功率晶体管优化的输入和输出侧电源UVLO。隔离模拟PWM传感器可用于更容易的温度或电压传感,进一步增加驱动器的通用性,简化系统设计工作、尺寸和成本。
3kV(RMS)单通道隔离栅极驱动器
AEC-Q100符合汽车应用要求
驱动SiC mosfet和igbt高达990V(pk)
33V最大输出驱动电压(VDD-VEE)
高峰值驱动电流和高CMTI
±10A驱动强度和分流输出
150 v / ns最低CMTI
200ns响应时间快速DESAT保护
4A内活动Miller钳
故障条件下400mA软关断
隔离模拟传感器与PWM输出
温度传感与NTC, PTC,或热二极管
高压直流或相电压
从RST/EN报警FLT过流和复位
快速启用/禁用RST/EN响应
拒绝<输入引脚上的40ns噪声瞬态和脉冲
12V VDD UVLO, RDY电源良好
具有过/欠射瞬态抗扰度高达5V的输入/输出
130ns(最大)传播延迟和30ns(最大)脉冲/部件倾斜
SOIC-16 DW组件,漏电和间隙距离>8毫米
工作结温度-40°C至+150°C
安全认证(计划)
6000V(PK)根据DIN VDE V0884-11: 2017-01基本隔离
3kV(RMS)隔离1分钟按UL 1577
电动汽车牵引逆变器
车载充电器和充电桩
用于混合动力汽车/电动汽车的DC/DC变换器
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