WeEn半导体WNSC1x650 SiC肖特基二极管提供高度稳定的开关性能和高前向浪涌能力。这些二极管具有极快的反向恢复时间，减少了相关MOSFET的损耗，降低了电磁干扰，并降低了冷却要求。WNSC1x650 SiC肖特基二极管符合RoHS，无卤素，并可在一个TO-247封装。这些二极管非常适合用于功率因数校正，电信/服务器SMPS, UPS，光伏逆变器和电机驱动器。

特性

• 高度稳定的开关性能

• 高前向浪涌能力

• 极快的反向恢复时间

• 低的热阻

• 650V碳化硅(SiC) 10A和12A单二极管和16A双二极管

• 效率优于硅二极管替代品

• 减少了相关MOSFET的损耗

• 减少电磁干扰

• 减少冷却需求

• 通过无铅认证

• 175°C T (j)(最大)

• TO-247-2L真2针封装

应用程序

• 功率因数校正

• 电信/服务器smp

• 联合包裹

• 光伏逆变器

• PC Silverbox

• Led / oled电视

• 马达驱动器