Power Integrations 600V Qspeed硅二极管是为了在高开关频率应用中取代SiC二极管的高效性能而设计的。0.35微米的Qspeed二极管技术改善了性能，并给出了可预测的结果。该二极管具有任何600V硅二极管的低Q(RR)，低I(RRM)，低t(RR)和软恢复。Qspeed硅二极管是AEC-Q1011合格，结合肖特基和PiN结在同一设备，是理想的汽车应用。

特性

• 0.35微米技术

• 通过IATF16949认证的晶圆厂和组装现场

• 减少刺激损失

• 软开关，降低电磁干扰

• 高开关速度

• 任何600V硅二极管的低Q(RR)

• 低我(RRM)

• 低t (RR)

• 疲弱的经济复苏

• AEC-Q1011合格

• 将肖特基和PiN结结合在同一个设备中

Qspeed二极管的截面图

适用于电动汽车充电器的高效PFC