达尔科技DZDH0401DW理想二极管控制器设计用于驱动p通道增强MOSFET配置为理想二极管。该控制器作为一个差分放大器和PMOS控制器，以最小化正向电流损失时，V(IN) >V(了)。DZDH0401DW控制器提供高隔离时，V(IN) <V(了)。该控制器比较输入和输出电压，如果差值大于~34mV(典型值)，V(BIAS)将下降，PMOS将打开。如果差动小于~70mV V(BIAS)将上升，PMOS将关闭隔离输入输出。DZDH0401DW控制器提供40V最大输入电压，-300mA峰值偏置电流，50V最大反向电压保护，并采用SOT363封装。典型的应用包括高边门驱动PMOS，高边门断开开关，电池放电保护，应急照明，有源或冗余电源。

特性

• 驱动配置为理想二极管的p通道增强MOSFET

• 最大输入电压40V

• -300mA峰值偏置电流

• 50V最大反向电压保护

• 采用SOT363包

• 完全无铅

• 通过无铅认证

应用程序

• 高侧栅驱动PMOS

• 高位断开开关

• 电池放电保护

• 应急照明

• 有源或冗余电源

典型的配置图

典型应用

降额曲线