Mikroe nvSRAM click具有 Cypress Semiconductor CY14B101J 1 mbit nvSRAM组织为8位128K字每个。它在每个存储单元中都有一个非易失性元件，该元件采用了量子阱技术。这提供了高度可靠的非易失性数据存储。数据传输是可能通过I(2)C命令。SRAM到非易失性元件的转换在断电时自动进行。另一方面，在上电期间，数据从非易失性内存恢复到SRAM。

特性

• 车载模块
  

• 基于Cypress Semiconductor CY14B101J 1mbit nvSRAM将其组织为8位128K字，每个存储单元中有一个非易失性元素

• 低功耗

• 1兆非易失静态随机存取存储器

• 高可靠性

• 高速接口

• 写保护功能

• (2) C接口

• mikroBUS兼容性

• S (28.6mm x 25.4mm)点击板尺寸

• 3.3 v的输入电压

应用程序

• 需要快速访问和存储数据的高可靠性，以及无限的耐久性的应用程序

概述