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摘要： 低VF，低IR，高防静电二极管，表现出硅外延平面型结构。
ROHM Semiconductor RBQxx65ATL肖特基势垒二极管阴极普通双型二极管，采用功率模型TO-263S (D(2)PAK)封装。这些二极管是低V(F)，低I(R)，高抗ESD二极管，提供高可靠性。RBQxx65ATL二极管采用硅外延平面型结构制造，适用于开关电源、电话和各种便携式电子产品。
阴极共双型
低I(R)和低V(F)
高防静电耐
高可靠性
动力模具型号TO-263S (D(2)PAK)
硅外延平面型结构
开关电源
手机和各种便携式电子产品
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