Mikroe nvSRAM 3 click 具有Cypress Semiconductor CY14B101I 1mbit nvSRAM组织为8位128K字每个全功能实时时钟。嵌入式元件采用了量子阱技术，提供了高度可靠的非易失性数据存储。它通过一个额外的自动备份开关提供无限的读写周期。由用户通过I2C命令发起的从SRAM到非易失性元素的数据传输在Power-Down时自动发生。另一方面，在上电期间，数据从非易失性内存恢复到SRAM。

特性

• 车载模块
  

• Cypress Semiconductor CY14B101I 1mbit nvSRAM组织为128K字8位，每一个全功能的实时时钟

• 低功耗

• 1兆非易失静态随机存取存储器

• 高可靠性

• 高速接口

• 写保护功能

• 实时时钟

• (2) C接口

• mikroBUS兼容性

• L (57.15mm x 25.4mm)点击板尺寸

• 3.3 v的输入电压

应用程序

• 需要快速访问和存储数据的高可靠性，以及无限的耐久性的应用程序

概述