英飞凌Infineon Technologies REF-DR3KIMBGSICMA参考板包含两个pcb(分别命名为驱动板和功率板)，包括一个驱动电路和一个三相逆变器，用于电机驱动应用。rf - dr3kimbgsicma驱动电路基于EiceDriver IC - 1EDI20I12MH，具有miller钳位功能。CoolSiC MOSFET的特点是IMBG120R45M1H作为三相逆变器的主要部件。

Infineon REF-DR3KIMBGSICMA参考板的开发是为了支持用户在他们的第一步设计与EiceDriver IC和CoolSiC MOSFET伺服电机与逆变器集成。

特性

• 三相伺服电机一体化驱动

• 1200V/45毫欧 CoolSiC MOSFET在SMD封装(TO263-7L)，具有。xt互连技术

• 设计紧凑:PCB直径110mm

• IMS(绝缘金属基板)具有高导热性的pcb

• 具有过电流保护功能

• 输入电压350V至800VDC

• 输出电压220VAC、380VAC、480VAC

 内容

• 堆叠式参考板(LxWxH)，尺寸为12cm × 11.3cm × 10cm，包括逆变器板、栅门驱动板、散热器和散热风扇

• 适配器电缆，用于连接EVAL-M1-101T和REF-DR3KIMBGSICMA

• 用户指南

• 介绍表

框图

英飞凌电源和传感选择指南