Nexperia的a选齐纳二极管范围涵盖2.4 V到75 V的所有应用，同时提供精确的电压参考，低公差±1%。通过替换B或c选择器件与垫兼容的a选择齐纳器件，工程师可以达到MOSFET的极限，如果应用于限制电压的栅源路径或漏栅路径或选择从更广泛的合适的MOSFET。该器件具有非重复峰值反向功耗≤40w，总功耗≤250mw，热阻差值低的特点。低公差提供了更高精度的电压，这对测试和测量应用尤为重要。

特性

• 总功耗≤250mw

• 低耐受性±1%

• 工作电压范围:公称2.4 V ~ 75 V (E24范围)

• 非重复性峰值反向功耗:≤40w

• 符合AEC-Q101标准，推荐用于汽车应用

• 可在SOD123F封装:BZT52H-A* (BZT52H-A*-Q)

• 可在SOD323包:BZX384-A* (BZX384-A*-Q)

• 符合AEC-Q101标准，推荐用于汽车应用

应用程序

• 一般管理功能

• 精密电压测量应用

• 电涌抑制器