意法半导体公司用于碳化硅功率晶体管的STGAP2SICSN电隔离单通道栅极驱动器采用SO8标准封装。它利用最新的电隔离技术，在较小的占地面积内为碳化硅提供了合适的隔离驱动器，允许声明4.8 kV的瞬态过电压。栅极驱动器的特点是具有4a的能力，并能承受高达1700 V的高压轨道。在全温度范围内，dv/dt的瞬态抗扰度为±100 V/ns，对电压瞬态具有显著的鲁棒性。

设备有两种配置。它们根据项目战略为外部组件提供了高灵活性和优化的材料清单。第一种选择具有独立的输出引脚，通过使用独立的电阻来优化独立的通断和关断。第二种配置具有单个输出引脚和Miller箝位功能，防止在半桥拓扑快速换向期间的门尖峰。

CMOS/TTL兼容的逻辑输入，低至3.3 V，确保与微控制器和DSP外围设备的直接接口。STGAP2SICSN驱动器允许用户设计高可靠性的系统，这是因为集成的保护功能，如对SiC mosfet和热关闭优化值的UVLO，当结温度达到设定的阈值时，将两个驱动器的输出都变低，在半桥中产生高阻抗。

采用待机模式，减少空闲功耗。STGAP2SICSN适用于功率转换和工业应用中的中大功率应用。STGAP2SICSN采用SO8N包。

特性

• 电压轨至1700 V

• 栅极驱动电压高达26v

• 4 A汇/源电流

• 75ns短传播延迟

• 自举二极管

• 分离的接收器/源选项，方便栅极驱动调谐

• 4 Miller钳专用销选项

• 3.3 V / 5v逻辑输入

• UVLO V (CC)

• 热停堆保护

• 窄体SO8包