基于独特的级联码配置，UnitedSiC的UJ4C第4代SiC FET系列额定750 V，可在6个毫欧到60个毫欧选项。这些器件提供了优异的性能数据，降低了导通损耗，提高了效率，同时提高了整体的成本效益。提高了开关性能和Q(rr)，以及在每个给定R(DS(on))处的E(on)和E(off)损耗。此外，E(oss)和C(oss)水平的降低带来了较低的总损失。这些器件可以安全驱动标准0v至12v或15v栅极驱动电压。良好的阈值噪声边际保持在一个真正的5 V阈值电压，和前几代一样，这些SiC fet可以从所有典型的Si IGBT, Si MOSFET和SiC MOSFET驱动电压操作。它们还包括一个内置的ESD门保护钳。所有设备均符合AEC-Q101标准。

特性

• 低R(DS(on))从6 毫欧到60 毫欧

• 关键的优点使下一代高性能电源设计成为可能

• 优秀的R(DS(on)) x区域

• 在给定R(DS(on))时，改善Q(rr)和E(on)/E(off)损失

• 减少C(oss(er))/E(oss)和C(oss(tr))

• 具有短路能力

• 5v V(TH)，±20V V(GS(max))，防静电保护

• 标准(0v至12v)或SiC FET栅极驱动器(双极)

• 优秀的反向恢复

• 低体二极管

• 门费用低

• TO247-3L和TO247-4L行业标准封装

• AEC-Q101合格

应用程序

• 汽车:牵引逆变器;车载充电器;直流/直流转换器

• IT基础设施:PFC;直流/直流转换器

• 可再生能源:太阳能逆变器;能量储存