意法半导体的STDRIVEG600是一款用于增强模式GaN场效应管或n通道功率场效应管的单芯片半桥门驱动器。高侧部分的设计可以承受高达600v的电压。它适用于母线电压高达500 V的应用。STDRIVEG600可以驱动高速硅和氮化镓fet，这得益于其高电流能力，在典型条件下的短传播延迟为45 ns，并且可以在低于5 V的供电电压下工作。dV/dt免疫高:±200 V/ns。STDRIVEG600是一款强大的驱动器，具有超温保护和UVLO功能的下和上驱动部分，防止电源开关在低效率或危险的条件下运行。

联锁功能避免了交叉传导条件。逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V，便于与微控制器和DSP接口。一个专用的引脚关闭功能也是可用的。软件包是SO16。STDRIVEG600提供封装部分(PN为STDRIVEG600)和晶片业务(PN为STDRIVEG600w)。

特性

• 电压轨至600v

• 高达20v的栅极驱动器

• 5.5 A / 6 A汇流/源电流

• 45ns短传播延迟

• 自举二极管

• 分离的开关输出，方便门驱动调谐

• 3.3 V / 5v逻辑输入

• UVLO在V(CC)和VBOOT

• 热关机

• 联锁功能

• 关闭销

• SO16包