摘要: 亚德诺半导体的低静态电流浪涌阻器包括一个9 毫欧 MOSFET
亚德诺半导体ADI的LTC4381浪涌阻器保护负载免受高压和大电流瞬变的影响,允许其在此类浪涌事件中持续运行。它取代了传统的由大型电感器、电容器、瞬态电压抑制器(TVS)和熔断器组成的分流电路。
DC2713A电路板可以评估LTC4381,一个低静态电流浪涌阻器与9 毫欧 MOSFET,在12 V至48 V的应用。LTC4381箝位输出电压,允许负载安全地通过100 V瞬变和负载转储冲击,如ISO 16750-2测试a。电流限制保护输入电源从输出过载和短路。在持续输入过电压或输出过载的情况下,LTC4381在一段延迟后关闭,以保护内部功率MOSFET。
特性
内部100 V / 9 毫欧 n通道MOSFET的生产测试,并保证在高压瞬变期间的应力
低6µA工作的静态电流最大限度地延长电池的运行和待机时间
MOSFET应力加速故障超时减少了在故障条件下花费的时间,更好地利用安全的操作区域
应用程序
一般用途:防雷、热插拔、保险丝
汽车:12v / 24v / 48v系统保护,负载转储保护
工业自动化
消费者
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