IXYS 200v x4级n通道超结功率mosfet与HiPerFET 的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-05-27

摘要： IXYS mosfet雪崩额定值和表现优越的dV/dt性能

IXYS功率mosfet采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可显著降低电阻(R(DS(ON))和栅电荷(Q(g))。低通态电阻降低了导通损耗，降低了输出电容中存储的能量，从而使开关损耗最小化。较低的栅极电荷可在轻负荷下提高效率，并有助于降低栅极驱动需求。此外，这些mosfet是雪崩额定值，并表现出优越的dV/dt性能。由于导通电阻的温度系数为正，它们可以并联工作以满足更高的电流要求。

应用程序

开关电源的同步整流
电机控制(48v至80v系统)
直流/直流转换器
不间断电源
电动叉车
d类音频放大器
电信系统

特性

低通电阻(R(DS(ON))和栅电荷(Q(g))
dV / dt强度
雪崩能力
国际标准包装

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