亚德诺半导体ADI的ADL8150是一种自偏置砷化镓(GaAs)，单片微波集成电路(MMIC)，异质结双极晶体管(HBT)，工作频率从6 GHz到14 GHz的低相位噪声放大器。该放大器提供了12 dB的典型信号增益，在1dB增益压缩(OP1dB)时输出功率为18 dBm，典型的输出三阶截距(OIP3)为30 dBm。放大器需要74ma从5v集电极供电电压。

ADL8150还具有输入和输出(I/ o)，内部匹配50 欧姆， RFOUT促进集成到多芯片模块(MCMs)。

ADL8150-EVALZ由4层印刷电路板(PCB)组成，由10 mil厚的Rogers 4350B 和Isola 370HR覆铜形成，标称厚度为62 mil。ADL8150-EVALZ的RFIN和rout端口采用2.9 mm同轴母连接器，对应的RFIN和RF;/。轨迹有50 欧姆特性阻抗。ADL8150- evalz配备了适用于ADL8150整个-40°C至+85°C工作温度范围内的组件。

方框图和图形

相位噪声与频率在10ghz, POUT = P1dB -点击放大

OP1dB与频率为各种温度-点击放大

相位噪声与频率在10 GHz, POUT = 10 dBm -点击放大

特性

• OP1dB: 18dbm(典型的7ghz到12ghz)

• P(SAT): 22 dBm(典型在7 GHz到12 GHz)

• 增益:12 dB(典型在7 GHz到12 GHz)

• OIP3:典型的30 dBm

• 相位噪声:-172 dBc/Hz在10 kHz偏移

• 供电电压:5v在74ma

• 6引线，2毫米x 2毫米LFCSP

应用程序

• 军事和航天

• 测试仪器

• 通信