摘要: 亚德诺半导体的2ghz到28ghz, GaAs, pHEMT, MMIC低噪声放大器具有内部匹配的输入和输出
亚德诺半导体ADL9006是一种砷化镓(GaAs),伪纯高电子迁移率晶体管(pHEMT),单片微波集成电路(MMIC),工作在2 GHz到28 GHz之间的低噪声放大器。该放大器提供15.5 dB的增益,2.5 dB的噪声,26 dBm的输出三阶截距(OIP3),和20 dBm的输出功率为1dB压缩(P1dB),而需要5v电源53 mA。ADL9006是自偏置的,只需要一个正电源来实现53 mA的电源电流(I(DD))。
ADL9006放大器的输入和输出内部匹配50 欧姆。
ADL9006CHIPS是一种砷化镓(GaAs),伪纯高电子迁移率晶体管(pHEMT),单片微波集成电路(MMIC),工作频率从2 GHz到28 GHz的低噪声放大器。放大器提供15.5 dB的增益,噪声图2.2 dB, 24 dBm的输出三阶拦截(IP3), 20 dBm的输出饱和功率(P(坐)),和19 dB的功率输出1 dB压缩(P1dB),而需要55马电源电流(I (DD))从一个5 V电源电压。ADL9006CHIPS是自偏置的,只需要一个正电源来实现一个55 mA的I(DD)。
ADL9006CHIPS放大器输入和输出内部匹配50 欧姆,便于集成到多芯片模块(MCMs)。
方框图和图形
增益vs. VGG2为各种频率-点击放大
增益和返回损失与频率-点击放大
不同温度的IDQ vs. VDD -点击放大
特性
P1dB: 20dbm,典型的2g ~ 6ghz
P(SAT): 20.5 dBm典型在2 GHz到6 GHz
增益:在6 GHz到28 GHz时,典型增益为15.5 dB
噪声系数:2.5 dB在2 GHz到20 GHz
OIP3: 26 dBm典型在2 GHz到6 GHz
供电电压:5v在53毫安
50 欧姆匹配输入和输出
应用程序
楼宇自动化
工业自动化
分表
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