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意法半导体 STGAP2SiCS用于SiC mosfet的电隔离栅极驱动器的介绍、特性、及应用

来源:HQBUY 发布时间:2022-08-11

摘要: 意法半导体的高压栅极驱动器采用BCD6s技术制造


意法半导体的STGAP2SiCS是一款采用BCD6s技术制造的高电压(高达1200 V)栅极驱动器。它包括在6 kV的栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间的电隔离。它包括在一个紧凑的包6千伏电隔离家庭。设备输出可接收和源达4a。防止交叉传导是由联锁功能确保的。该设备为每个输出都有专用的输入引脚。逻辑输入是CMOS/TTL兼容到3.3 V,便于与控制设备接口。高低段延时匹配,保证无循环失真,高频操作。STGAP2SiCS有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许用户使用专用的门电阻独立优化通断。配置具有单个输出引脚和米勒钳位功能,防止在半桥拓扑快速换向期间的门尖峰。


特性

  • 高压铁路

  • 匹配的传播延迟上升和下降

  • SO-8W

  • STBY

  • 专用的SiC司机

好处

  • 在大功率应用中降低电流,提高效率(损耗达I2),鲁棒性强

  • 避免交叉损耗,无周期畸变,高频运转

  • 系统板面积、可靠性、BOM成本

  • 在需要时减少消耗

  • 使用SiC MOSFET提高了效率

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