Vishay介绍了他们的650v碳化硅(SiC)肖特基二极管具有合并PIN肖特基(MPS)设计。这些器件旨在通过降低开关损耗来提高高频应用的效率，而不考虑温度变化的影响，允许器件在更高的温度下工作。该器件的合并PIN肖特基设计屏蔽了肖特基势垒的电场，以减少泄漏电流，同时通过空穴注入增加浪涌电流能力。与纯硅肖特基器件相比，这些二极管可以处理相同水平的电流，正向压降仅略有增加，同时显示出显著更高的强度，为设计人员提供了更大的系统优化灵活性。它们提供2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装。

特性

• 合并PIN肖特基设计

• 正VF温度系数，便于并联

• 温度不变切换行为

• 可提供额定电流从4a到40a

• 高温工作温度可达+175℃

• 符合JESD 201 1A级晶须测试

• 可在2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装

应用程序

• 反激电源的PFC和输出整流

• 服务器的LLC转换器

• 电信设备

• 联合包裹

• 太阳能逆变器