三极管是一种电流控制器件，它利用基极电流的变化来控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管，其符号如下：

MOS晶体管是一种压控电流器件，它利用栅极电压的变化来控制漏极电流的变化。有p沟道MOS管（简称PMOS）和n沟道MOS管（简称NMOS）。符号如下（此处仅讨论常用的增强MOS管）：

NPN三极管

优点是：

·当基极控制电平从高到低变化时，基极可以更快地向下拉，NPN三极管可以更快、更可靠地切断

PNP三极管

优点是：

·当基极控制电平从低变高时，基极可以更快地向上拉，PNP三极管可以更快更可靠地切断

因此，如上所述：

对于NPN三极管，设计是将负载R12连接在集电极和VCC之间。不太周到的设计是负载R12连接在发射器和GND之间。

对于PNP三极管，设计是将负载R14连接在集电极和GND之间。不太周到的设计是负载R14连接在发射器和VCC之间。这样，可以避免负载的变化被耦合到控制端。从水流的方向看是很明显的。

PMO

它适用于源极连接到VCC，漏极连接到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）Vth以上（即VGS超过-Vth），PMO就可以开始开启。栅极使用低电平驱动PMO开启（高电平时不开启）；除了限流电阻器外，栅极的更好设计是将上拉电阻器10-20K连接到VCC，以便当栅极控制电平从低变高时，栅极可以更快地拉得更高，PMO可以更快、更可靠地切断。

NMOS

它适用于源极连接到GND，漏极连接到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）Vth以上（即VGS超过Vth），NMOS就可以开始开启。栅极驱动NMOS在高电平时开启（在低电平时不开启）；除了限流电阻外，栅极的更好设计是将下拉电阻10-20K连接到GND，这样当栅极控制电平从高变低时，栅极可以更快地下拉，NMOS可以更快、更可靠地切断。

因此，如上所述：

对于PMO，设计是将负载R16连接在漏极和GND之间。不太周到的设计是，负载R16连接在电源和VCC之间。

对于NMOS，设计是将负载R18连接在漏极和VCC之间。不太周到的设计是将负载R18连接在电源和GND之间。

为了避免负载变化耦合到控制终端（基本IB或门VG）的精密逻辑设备（如MCU），负载应连接到收集器或漏极。