摘要: 今年6月14日消息,据台湾DigiTimes消息,近日有市场传闻称,长江存储将跳过原定192层3D NAND技术,直接挑战 232层3D NAND,并有望于2022年底量产。
今年6月14日消息,据台湾DigiTimes消息,近日有市场传闻称,长江存储将跳过原定192层3D NAND技术,直接挑战 232层3D NAND,并有望于2022年底量产。
目前,长江存储的128层3D NAND闪存早已量产,今5月,有消息称长江存储已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品,预计将在今年年底前正式推出相应产品。谁曾想,现在又传出长江存储将在今年年底直接量产232层3D NAND的消息,这确实有些令人意外。
虽然,该传闻尚未得到官方的证实。但是,芯智讯从某半导体设备大厂内部消息人士那里了解到,该消息属实。
值得注意的是,在今年5月,存储芯片大厂美光(Micron)率先发布了业界首个232层堆栈的3D NAND芯片,并预计在今年年底量产。另外,消息显示,三星电子预计也将在今年年底推出200层以上的3D NAND。
该消息人士还表示,长江存储的232层3D NAND研发似乎比美光略早一点点,应该也将是第一量产的,虽然产能比美光要小。
如果长江存储真的能够跳过192层3D NAND,抢先美光在年底量产232层3D NAND,无疑将直接追上三星、美光、铠侠等一众3D NAND大厂,成功跻身一线3D NAND技术大厂。
编辑:芯智讯-浪客剑
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