安森美（onsemi ）NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC（碳化硅）MOSFET优化用于快速开关应用，具有22mΩ低漏极-源极导通电阻。M3S系列SiC MOSFET由18V栅极驱动驱动时可提供最佳性能，但也可与15V栅极驱动配合使用。该器件采用平面技术，可在栅极处于负栅极电压驱动和关断尖峰状态下可靠工作。

安森美NTBG022N120M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET采用D2PAK-7L封装，可实现低共源电感。

NTBG022N120M3S 特性

优化用于快速开关应用

低开关损耗

典型导通开关损耗：485µJ（40A、800V时）

18V，性能最佳；15V，兼容IGBT驱动器电路

100%经雪崩测试

功率密度更高

提高了对意外进入电压尖峰或振铃的稳健性

NTBG022N120M3S 应用

交流-直流转换

直流-交流转换

直流-直流转换

开关模式电源 (SMPS)

UPS

电动汽车充电器

太阳能逆变器

储能系统

NTBG022N120M3S 规格参数

漏极-源极电压 (VDSS)：1200V

漏极-源极导通电阻 (RDS(on))：22mΩ

栅极-源极电压 (VGS)：-10V/+22V

漏极-源极击穿电压温度系数 (V(BR)DSS/TJ)：0.3V/°C

零栅极电压漏极电流 (IDSS)：100µA

栅极-源极漏电流 (IGSS)：±1µA

连续漏电流 (ID)

58A（TC = 25°C时）

41A（TC = 100°C时）

功耗 (PD)

234W（TC = 25°C时）

117W（TC = 100°C时）

栅极阈值电压：2.04V至4.4V；典型值：2.72V (VGS(TH))

输入电容 (CISS)：3200pF

输出电容 (COSS)：148pF

反向传输电容 (CRSS)：14pF

接通延迟时间 (td(on))：18ns

上升时间 (tR)：24ns

关断延迟时间 (td(off))：47ns

下降时间 (TF)：14ns

反向恢复时间 (tRR)：23ns

工作结温和储存温度范围（TJ、Tstg)：-55°C至+175°C

D2PAK7 (TO-263-7L HV) 封装

NTBG022N120M3S 内部结构及引脚示意图

NTBG022N120M3S 封装外形