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摘要： Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于与大型系统配合使用。
Texas Instruments LMG3422EVM-041半桥子卡在半桥中配置两个LMG3422R050 GaN FET。它具有锁存过流保护功能和所有必要的辅助外设电路。该评估模块设计用于与大型系统配合使用。该评估板设有必要的功率级和栅极驱动高频电流环路，可最大限度地降低电源环路寄生电感，减少电压过冲，并提高性能。Texas Instruments LMG342XEVM-04X配置为插座式外部连接，可轻松连接外部功率级，从而在各种应用中运行LMG342XR0X0。
LMG3422EVM-041 特性
输入电压高达600V
简单的开环设计，用于评估LMG342XR0XX的性能
板载单/双PWM信号输入，用于死区时间可变的PWM信号
逐周期过流保护功能
便利的探测点，用于逻辑和功率级测量，示波器探头具有短接地弹簧探头
LMG3422EVM-041 电路板布局结构
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