UnitedSiC的UF4C/SC第4代SiC FET系列基于独特的级联配置，额定电压1200 V，可在23 毫欧到70 毫欧选项。这些器件提供了优异的性能指标(FoM)， R(DS(on)) x面积1.35 毫欧 cm(2)， R(DS(on)) x E(oss)为0.78 欧姆 μ J, R(DS(on)) x C(oss(tr))为4.5 欧姆 pF, R(DS(on)) x Q(G)为0.9 欧姆 nC。它们是电动汽车(ev)车载充电器、工业电池充电器、工业电源供应商、太阳能中的DC/DC、电焊机、UPS和感应加热应用中的主流800v总线架构的最佳电源解决方案。

基于多个R(DS(on))和可用的封装选项，这些设备最大限度地提高了设计灵活性和成本效益。这些设备可以在标准的0 V到12 V或15 V栅极驱动电压下安全驱动。在真正的5 V阈值电压下保持良好的阈值噪声裕度。像前几代一样，这些SiC fet可以从典型的Si IGBT, Si MOSFET和SiC MOSFET驱动电压操作。它们还包括一个内置的ESD栅极保护钳。