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摘要： 具有先进的沟槽技术和设计，提供优良的RDS(ON)和低浇口电荷。
Rectron RM150N60HD n通道增强模式功率MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R(DS(ON))和低栅电荷。该装置具有稳定性好、均匀性好、单脉冲雪崩能量高的特点。RM150N60HD是硬开关和高频电路，电源开关和不间断电源的理想选择。
Rectron RM150N60HD n通道增强模式功率MOSFET是一个紧凑的TO-263-2L封装，非常适合空间有限的应用。
60V漏源极电压(V(DS))
150A连续漏极电流(I(D))
600A脉冲漏极电流(I(DM))
3.6欧姆典型R (DS(上))
163nC门总费用(Q(g))
优秀Q(g) x R(DS(on))
220W最大功耗(P(D))
6500pF输入电容(C(ISS))
650pF输出电容(C(OSS))
-55°C至175°C工作结和存储温度范围(T(J)， T(STG))
l - 263 - 2包
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