EPC的ePower芯片组集成了100 V GaN驱动器和高达65 A的fet，为包括DC/DC转换和电机驱动在内的高功率密度应用提供高性能和小的解决方案尺寸。EPC23101 eGaN IC + EPC2302 eGaN FET提供了一个ePower芯片组，能够最大承受电压为100 V，提供高达65 a的负载电流，并能够超过1 MHz的开关速度。EPC2302 eGaN场效应管提供了一个非常小的R(DS(on))仅1.8 毫欧以及非常小的QG, QGD和QOSS参数低传导和开关损耗。这两个设备都具有热增强QFN包与暴露的顶部和优化的两个设备之间的针尖。组合芯片组占地面积为7毫米x 5毫米，为高功率密度应用提供了非常小的解决方案尺寸。