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摘要： 三个半桥门驱动器，能够驱动高侧和低侧n通道功率mosfet。
德州仪器公司DRV8300U三相门驱动器是100V三半桥门驱动器，能够驱动高侧和低侧n通道功率mosfet。DRV8300UD使用集成自举二极管和外部电容为高侧mosfet产生正确的栅极驱动电压。GVDD用于为低侧mosfet产生栅极驱动电压。门驱动架构支持峰值高达750mA的源电流和1.5A的汇电流。
相位引脚SHx可以容忍显著的负电压瞬变。同时，高侧栅驱动电源BSTx和GHx可以支持更高的正电压瞬态(125V) abs最大电压，提高了系统的鲁棒性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死时要求，进一步提高了效率。通过GVDD和BST欠压锁定，德州仪器DRV8300U的低侧和高侧都提供了欠压保护。
100V三相半桥门驱动器
驱动n通道mosfet (NMOS)
5V到20V栅极驱动电源(GVDD)
MOSFET电源(SHx)支持高达100V
集成自举二极管(DRV8300UD器件)
支持INLx输入的逆变和非逆变
引导门驱动体系结构
750毫安电流源
反向电流1.5
支持高达15S的电池供电应用
更高的BSTUV (8V类型)和GVDDUV (7.6V类型)阈值以支持标准mosfet
SHx引脚漏电流小(小于55 μ A)
绝对最大BSTx电压可达125V
在SHx上支持高达-22V的负瞬态电流
内置cross-conduction预防
可调死时间通过DT引脚的QFN包的变体
修复了TSSOP包变量200nS的死时间插入
支持3.3V和5V逻辑输入，最大电流20V
4nS典型传播时延匹配
紧凑的QFN和TSSOP包
高效的系统设计与电源模块
综合保护功能
欠压锁定(BSTUV)
GVDD欠压(GVDDUV)
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