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摘要： 使设计者在电力电子系统中达到新的功率密度和效率水平。
德州仪器LMG342xR030 GaN场效应晶体管(fet)具有集成的驱动和保护，使设计人员能够在电力电子系统中实现新的功率密度和效率水平。
德州仪器LMG342xR030集成了一个硅驱动器，使开关速度高达150v /ns。TI的集成精密门偏压导致了与离散硅门驱动器相比更高的开关SOA。这种集成，结合TI的低电感包，在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和最小的振铃。可调栅驱动强度允许控制从20 V/ns到150 V/ns的转换速率，主动控制EMI和优化开关性能。LMG3425R030包括理想二极管模式，通过启用自适应死区时间控制减少第三象限损失。
先进的电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaN FET的温度通过可变占空比PWM输出报告，这简化了设备负载管理。故障报告包括过温、过流和UVLO监控。
适用于硬交换拓扑的JEDEC JEP180
600V GaN-on-Si场效应晶体管，集成栅极驱动器
集成高精度栅偏压
200 v / ns CMTI
2.2 mhz切换频率
30V/ns至150V/ns转换速率，以优化开关性能和缓解电磁干扰
从7.5V到18V供电
先进的电源管理
数字温度PWM输出
理想二极管模式减少了LMG3425R030的第三象限损耗
强大的保护
响应小于100ns的周期过流和锁存短路保护
在硬开关时可承受720V的浪涌
内部过温自我保护和UVLO监控
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