Qorvo QPD2040D 400um分立GaAs pHEMT模的介绍、特性、及应用 - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > Qorvo QPD2040D 400um分立GaAs pHEMT模的介绍、特性、及应用

QORVO QPD2040D

Qorvo QPD2040D 400um分立GaAs pHEMT模的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-23

摘要： 设计使用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。

Qorvo QPD2040D 400um离散GaAs pHEMT模具采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺具有先进的技术，以优化微波功率和高漏偏操作条件下的效率。QPD2040D从直流到20GHz工作，典型输出功率为26dBm, P1dB，增益为13dB, 1dB压缩时功率增加效率为55%。这种性能级别是高效应用程序的理想选择。带有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和防刮性。

特性

DC ~ 20GHz频率范围
26dBm典型输出功率P1dB
典型增益在12GHz
55%典型PAE在12GHz
在12GHz时的典型NF

没有通过
0.25um GaAs pHEMT技术
0.41mm x 0.34mm x 0.10mm芯片尺寸
无铅，符合RoHS标准

应用程序

通信
雷达

点对点无线电
卫星通信

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：SMP和SMPM Ganged连接器的介绍、特性、及应用

下一篇：ISP2053系列双核蓝牙5.2模块的介绍、特性、及应用

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308