摘要: 采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。
Qorvo QPD2018D 180um离散GaAs pHEMT模工作在直流到20GHz。QPD2018D通常在P1dB时提供22dBm输出功率,增益为14dB,在1dB压缩时提供55%的功率增加效率,使其成为高效应用的理想选择。氮化硅保护层具有环境鲁棒性和防刮性。
DC ~ 20GHz频率范围
22dBm典型输出功率P1dB
典型增益在12GHz
55%典型PAE在12GHz
12GHz下的典型NF
没有通过
0.25um GaAs pHEMT技术
0.41mm x 0.34mm x 0.10mm芯片尺寸
无铅,符合RoHS标准
通信
雷达
点对点无线电
卫星通信
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