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QORVO QPD2025D

Qorvo QPD2025D 250um分立GaAs pHEMT模的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2023-03-23

摘要： 采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺开发。

Qorvo QPD2025D 250um离散GaAs pHEMT模具采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺开发。该工艺具有先进的技术，以优化微波功率和高漏偏操作条件下的效率。QPD2025D从直流到20GHz工作，P1dB输出功率为24dBm，增益为14dB, 1dB压缩时功率增加效率为58%。具有这种性能水平，该设备是高效应用的理想选择。具有氮化硅的保护层提供了环境鲁棒性和防刮性。

特性

DC ~ 20GHz频率范围
24dBm典型输出功率P1dB
典型增益在12GHz
12GHz时的典型PAE
12GHz时的典型NF

没有通过
0.25um GaAs pHEMT技术
0.41mm x 0.34mm x 0.10mm芯片尺寸
无铅，符合RoHS标准

应用程序

通信
雷达

点对点无线电
卫星通信

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